3B modeli görüntüle
Servis hattı
+ 86 0755-83044319
● Yeşil cihaz mevcut
● İyi ısı dağılımı için mükemmel paket
● Ultra düşük RDS(ON) için gelişmiş yüksek hücre yoğunluklu hendek teknolojisi
Tanım
Bu P-Kanal MOSFET, düşük geçit şarjıyla mükemmel RDS(açık) sağlamak için gelişmiş kanal teknolojisi ve tasarımını kullanır. Çok çeşitli uygulamalarda kullanılabilir.
Özellikler
● VDS=-100V,ID=-20A,RDS(AÇIK)<90mΩ@VGS=-10V
● Düşük kapı ücreti.
● Yeşil cihaz mevcuttur.
● Ultra düşük RDS(ON) için gelişmiş yüksek hücre yoğunluklu hendek teknolojisi.
● İyi ısı dağılımı için mükemmel paket.
| Dosya Adı | Başlık | Tanım |
|---|---|---|
| IRF9540 TO-220.pdf | IRF9540 TO-220 | - |
| Öneri-65-Uyumluluk-Raporu_1.pdf | Öneri 65 Uyumluluk Raporu_1 | - |
| Öneri-65-Uyumluluk-Raporu_2.pdf | Öneri 65 Uyumluluk Raporu_2 | - |
| ULAŞIM.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Destek
Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve doldurunYanıt FormuMümkün olan en kısa sürede size geri döneceğiz.
Ömür
Uzun Ömür Programı, müşterilerimize ürünlerimizin sipariş edilebileceği tahmini süre hakkında zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. NLP, üst düzey Yönetim Ekibimiz tarafından düzenli olarak incelenmekte ve güncellenmektedir.uzun ömür programı.
● Yüksek sağlamlık ● Ultra hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçmiştir
● %100 Çığ Testi ● Hızlı Geçiş ● Geliştirilmiş dv/dt Yeteneği
● Düşük kapı yükü ● Düşük Crss (tipik 9pF) ● Hızlı anahtarlama
● Yüksek sağlamlık ● Hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçmiştir
● Ultra hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçti ● Geliştirilmiş dv/dt yeteneği
● Ultra Düşük Kapı Şarjı daha düşük sürüş gereksinimlerine neden olur ● %100 Çığ Testinden Geçmiştir ● ROHS uyumludur
● Hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçti ● Geliştirilmiş dv/dt yeteneği
● Yüksek Akım İşleme ● Yüksek Voltaj Kapasitesi ● Düşük Açık Direnç ve Yüksek Güç Dağılımı
