3B modeli görüntüle
Servis hattı
+ 86 0755-83044319
● Düşük güç gerektiren uygulamalar için kompakt ve verimli tasarım.
● Hızlı geçiş yetenekleriyle güvenilir performans.
● Düşük güç tüketimi gerektiren, alan kısıtlaması olan sistemler için idealdir.
ürün özeti
● VDS 60V
● Kimlik 100mA
● RDS(AÇIK)(VGS=10V'da)＜8.0Ω
● RDS(AÇIK)(VGS=4.5V'da)＜13.0Ω
● 2.0 KV'a (HBM) kadar ESD Korumalı
Genel açıklama
● Trench Power LV MOSFET teknolojisi
● Yüksek Güç ve akım taşıma kapasitesi
Uygulamalar
● Yük/Güç Anahtarlaması
● Arayüz Anahtarlama
● Mantık Düzeyi Kayması
| Dosya Adı | Başlık | Tanım |
|---|---|---|
| 2N7002KT SOT-523.pdf | 2N7002KT SOT-523 | - |
| Öneri-65-Uyumluluk-Raporu_1.pdf | Öneri 65 Uyumluluk Raporu_1 | - |
| Öneri-65-Uyumluluk-Raporu_2.pdf | Öneri 65 Uyumluluk Raporu_2 | - |
| ULAŞIM.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Destek
Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve doldurunYanıt FormuMümkün olan en kısa sürede size geri döneceğiz.
Ömür
Uzun Ömür Programı, müşterilerimize ürünlerimizin sipariş edilebileceği tahmini süre hakkında zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. NLP, üst düzey Yönetim Ekibimiz tarafından düzenli olarak incelenmekte ve güncellenmektedir.uzun ömür programı.
● Ultra hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçti ● Geliştirilmiş dv/dt yeteneği
● Yüksek sağlamlık ● Ultra hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçmiştir
● %100 Çığ Testi ● Hızlı Geçiş ● Geliştirilmiş dv/dt Yeteneği
● Düşük kapı yükü ● Düşük Crss (tipik 9pF) ● Hızlı anahtarlama
● Yüksek sağlamlık ● Hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçmiştir
● Ultra hızlı geçiş ● %100 çığ testinden geçti ● Geliştirilmiş dv/dt yeteneği
● Son derece yüksek dv/dt kapasitesi ● %100 çığ testinden geçmiştir ● Kapı yükü en aza indirilmiştir
● TrenchFET Güç MOSFET'i ● DÜŞÜK RDS(AÇIK). ● Yüzeye montaj paketi
