Yüksek frekanslı Schottky bariyer diyot yapısıyla SiC SBD, 600V'tan fazla yüksek voltaja ulaşırken, silikon SBD'nin maksimum dayanma voltajı yalnızca 200V kadardır ve durum voltaj düşüşü silikon hızlı kurtarma diyotununkinden çok daha düşüktür. kapanma toparlanma süresi daha küçüktür, dolayısıyla kapatma kaybı daha düşüktür, bu da daha düşük elektromanyetik girişim EMI'sine neden olur. Ana ürün silikon hızlı kurtarma diyotu FRD'nin yerine SiC SBD'nin kullanılması, toplam kaybı önemli ölçüde azaltabilir, güç kaynağının verimliliğini artırabilir ve yüksek frekanslı çalışma yoluyla indüktörler ve kapasitörler gibi pasif bileşenlerin minyatürleştirilmesini sağlayabilir. ve elektromanyetik girişim EMI daha düşüktür. Silisyum karbür SBD, klimalarda, güç kaynaklarında, fotovoltaik enerji üretim sistemlerindeki invertörlerde, elektrikli araçlar için motor-sürükleme sistemlerinde ve hızlı şarj cihazlarında yaygın olarak kullanılabilir.