Silisyum karbür SiC, genellikle 4H-SiC kristal tipinde, silikon Si ve karbon C'den oluşan bileşik yarı iletken bir malzemedir. Yalıtım arıza alan kuvveti Si'nin 10 katı, enerji aralığı Si'nin 3 katı, termal iletkenliği Si'nin 3 katı ve doygunluk sürüklenme hızı Si'nin 2 katıdır. Si'den çok üstün bir güç elektroniği cihaz malzemesidir.