+ 86 755-83044319

Ürünler

/
/
/
/
SL40P03G P-Kanal Geliştirme MOSFET PDFN-8L(3x3) SL40P03G P-Kanal Geliştirme MOSFET PDFN-8L(3x3) SL40P03G P-Kanal Geliştirme MOSFET PDFN-8L(3x3)
SL40P03G P-Kanal Geliştirme MOSFET PDFN-8L(3x3)

type:P-Kanal

Vdss:-30V

Id:-40A

Pd: 30W

RDS (açık)@Vgs,Id:10mΩ@-10V,-15A

Vgs(th)@Id:-1V@-250μA

Ürün Detayları

Açıklama:
SL40P03G P-Kanal Geliştirmesi MOSFET PDFN-8L(3x3), çeşitli elektronik uygulamalarda verimli ve güvenilir çalışma için tasarlanmıştır. Bu MOSFET Maksimum -30V Vds ve -40A sürekli drenaj akımıyla sağlam özellikler sunarak güç anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için idealdir.

Özellikler:

● VDS=30V, benD=178A 

● RDS (AÇIK)TİP = 1.1mΩ @VGS = 10V 

● RDS (AÇIK)TİP = 2.1mΩ @VGS = 4.5V 

● Çok Düşük Direnç RDS(ON)

● DüşükCrss 

● Hızlı geçiş 

● %100 çığ testi yapıldı 

● Geliştirilmiş dv/dt yeteneği


Uygulama:

● DC/DC,AC/DC için Akım Anahtarı

● Güç yönetimi 

● Motor Sürüşü, Hızlı/Kablosuz Şarj



SL40P03G  PDFN3x3-8L_00.png

Servis hattı

+ 86 0755-83044319

Hall Etkisi Sensörü

Ürün bilgilerini alın

WeChat

WeChat